本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种IGBT器件。
背景技术：
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，绝缘栅型场效应管也称金属氧化物半导体三极管(Metal Oxide SemiconductorFET，简写为MOSFET)，其兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，成为现代电力电子技术不可或缺的核心器件。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的IGBT沿用MOS管制造工艺，导致在IGBT中存在闩锁效应，限制了IGBT的最大电流能力。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种IGBT器件，通过取消现有IGBT结构中的N+源区，避免P+型体区与N+源区形成PN结，从而可以消除IGBT闩锁效应，进而有利于提高IGBT的最大电流能力。
为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种IGBT器件，包括：发射区金属层、P型集电区、N-漂移区以及P+型体区；所述P型集电区、N-漂移区以及所述P+型体区形成PNP三层硅结构；所述发射区金属层与所述P+型体区接触连接；其中，少子空穴电流直接通过所述P+型体区流入所述发射区金属层。
本实用新型实施方式相对于现有技术而言，对现有PNPN四层结构的IGBT进行改进，取消了其中的N+源区，并将P+型体区直接与发射区金属层连接，从而得到了包括P型集电区、N-漂移区以及P+型体区的PNP三层硅结构的IGBT。在取消N+源区之后，少子空穴电流则可以直接通过P+型体区流入发射区金属层，对器件功能无影响，并且由于P+型体区处无法产生PN结，从而消除了闩锁效应，进而有利于提高IGBT的最大电流能力。
另外，还包括：N型终止场层；所述N型终止场层位于所述N-漂移区以及所述P型集电区之间。
另外，还包括：与所述P型集电区接触连接的金属集电层。
另外，还包括：栅区；所述PNP硅结构形成有沟槽，所述栅区位于所述沟槽以及所述发射区金属层之间。
另外，所述栅区包括：形成在所述沟槽表面的栅氧化层，形成在所述栅氧化层上的多晶硅栅，以及形成在所述多晶硅栅与所述发射区金属层之间的栅源隔离层。
另外，所述栅源隔离层的材料为硼磷硅玻璃，工艺成熟，便于实现。
另外，所述发射区金属层为一层金属，提供了一种实现方式。
另外，所述发射区金属层包括堆叠连接的多层金属。
另外，所述发射区金属层为合金。
另外，所述发射区金属层为以下任意两者或者三者的合金：钛、镍、铂金、铝、硅以及铜。
附图说明
图1是根据本实用新型第一实施方式的IGBT器件的结构示意图；
图2至图8是图1所示的IGBT器件制备过程的分解结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
本实用新型的第一实施方式涉及一种IGBT器件，包括：发射区金属层、P型集电区、N-漂移区以及P+型体区；P型集电区、N-漂移区以及P+型体区形成PNP三层硅结构；发射区金属层与P+型体区接触连接；其中，少子空穴电流直接通过P+型体区流入发射区金属层。本实用新型实施方式相对于现有技术而言，对现有PNPN四层结构的IGBT进行改进，取消了其中的N+源区，并将P+型体区直接与发射区金属层连接，从而得到了包括P型集电区、N-漂移区以及P+型体区的PNP三层硅结构的IGBT。在取消N+源区之后，少子空穴电流可以直接通过P+型体区流入发射区金属层，对器件功能无影响，并且由于P+型体区处无法产生PN结，从而消除了闩锁效应，进而有利于提高IGBT的最大电流能力。下面对本实施方式的IGBT器件的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
请参阅图1，本实施方式的IGBT器件包括：发射区金属层106、P型集电区101、N-漂移区103、P+型体区104、N型终止场层102、金属集电层105、以及栅区。其中，P型集电区101、N-漂移区103以及P+型体区104形成PNP三层硅结构，发射区金属层106与P+型体区104接触连接。N型终止场层102位于N-漂移区103以及P型集电区101之间。金属集电层105与P型集电区101接触连接。
其中，PNP硅结构形成有沟槽，栅区位于沟槽以及发射区金属层106之间。栅区包括：形成在沟槽表面的栅氧化层107，形成在栅氧化层107上的多晶硅栅108，以及形成在多晶硅栅108与发射区金属层106之间的栅源隔离层109。需要说明的是，本实施方式对于沟槽的形状以及深度均不作具体限制。在一些例子中，PNP硅结构也可以不形成沟槽，此时，栅区可以形成在发射区金属层106和P+型体区104之间，本实施方式对于IGBT的栅区及其与其他结构的连接关系均不作具体限制。
其中，发射区金属层106为一层金属，然本实施方式对于发射区金属层106的结构不做具体限制。
下面对本实施方式的IGBT器件的制备方法进行举例说明如下：
请参阅图2，提供N型单晶硅，N型单晶硅的部分作为N-漂移区103；请参阅图3，通过光刻和干法刻蚀在N型单晶硅正面形成沟槽(Trench)；请参阅图4，在沟槽表面进行扩散氧化形成栅氧化层107；请参阅图5，通过沉积多晶及多晶光刻形成多晶硅栅108；请参阅图6，在沟槽两侧通过硼注入后进行扩散推结形成P+型体区104；请参阅图7，然后在N型单晶硅正面表面沉积硼磷硅玻璃BPSG；请参阅图8，通过对BPSG进行干法刻蚀后再进行硅刻蚀，形成BPSG栅源隔离层109；请继续参阅图1，在N型单晶硅正面淀积形成发射区金属层106；在N型单晶硅背面通过注入磷离子，形成N型场终止层102，在N型单晶硅背面注入硼离子，形成背面P型集电区101，在P型集电区101淀积形成金属集电层105，最终得到一个PNP三层硅结构IGBT器件。
本实施方式与现有技术相比，一方面通过取消IGBT器件中的N+源区，有效避免了由于N+源区以及P+型体区形成的PN结导通引起的IGBT的闩锁效应，提高了器件的可靠性；另一方面，由于减少N+源区注入工序，简化了生产工艺。
本实用新型的第二实施方式涉及一种IGBT器件。第二实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在第一实施方式中，发射区金属层106为一层金属，而在本实用新型第二实施方式中，发射区金属层为多层金属。
本实施方式中，发射区金属层为两层金属，然对于发射区金属层的层数不作具体限制。其中，各层均可以采用合金。例如，发射区金属层中的各层分别为以下任意两者或者三者的合金：钛(Ti)、镍(Ni)、铂金(Pt)、铝(AL)、硅(Si)以及铜(Cu)。本实施方式对于发射区金属层的各层的材料不作具体限制。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。