1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：发射区金属层、P型集电区、N-漂移区以及P+型体区；
所述P型集电区、N-漂移区以及所述P+型体区形成PNP三层硅结构；所述发射区金属层与所述P+型体区接触连接；其中，少子空穴电流直接通过所述P+型体区流入所述发射区金属层。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：N型终止场层；
所述N型终止场层位于所述N-漂移区以及所述P型集电区之间。
3.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：与所述P型集电区接触连接的金属集电层。
4.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：栅区；
所述PNP硅结构形成有沟槽，所述栅区位于所述沟槽以及所述发射区金属层之间。
5.根据权利要求4所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅区包括：
形成在所述沟槽表面的栅氧化层，
形成在所述栅氧化层上的多晶硅栅，以及形成在所述多晶硅栅与所述发射区金属层之间的栅源隔离层。
6.根据权利要求5所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅源隔离层的材料为硼磷硅玻璃。
7.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层为一层金属。
8.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层包括堆叠连接的多层金属。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层为合金。
10.根据权利要求9所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层为以下任意两者或者三者的合金：钛、镍、铂金、铝、硅以及铜。