技术编号：15735484
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提升全视场光刻成像均匀性的多目标光源和掩模优化方法，属于光刻分辨率增强技术领域。背景技术光刻技术是超大规模集成电路制造领域的关键技术。目前工业界主流的深紫外光刻系统的工作波长为193nm，随着光刻工艺节点下移至45-14nm，集成电路的最小线宽已经远远小于光源波长。此时，光波的干涉和衍射现象更加显著，导致光刻成像的失真、偏移或分辨率下降；因此，光刻系统必须采用分辨率增强技术，以提高光刻成像分辨率和图形保真度，保证光刻工艺的良率。光源—掩模优化技术(source mask optim...
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