技术编号：15740351

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本揭示内容是关于一种半导体装置，特别是关于一种保护电路的半导体装置。背景技术闭锁效应(Latch-up)为与互补式金氧半场效晶体管(CMOS)结构有关的常见的问题其包含不想要的传导机制。CMOS集成电路包含寄生P型/N型/P型/N型结构其当P型/N型/P型/N型其中一个接面为正向偏压时有闭锁效应的问题。保护环结构及/或拾起结构被应用至CMOS集成电路去预防闭锁效应问题，但是保护环及/或拾起结构消耗大量布线面积。发明内容本揭示内容的实施方式是关于一种半导体装置，其包含第一传导型的第一井、位于第一井...
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