技术编号:15752645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在先进技术节点共集成块体及SOI半导体装置,尤其涉及半导体衬底的SOI衬底部分上的FET半导体装置及半导体衬底的块体衬底部分上的FET或非FET半导体装置的集成。背景技术在当前的电子设备中,集成电路(IC)在不断扩大的应用范围中具有广阔的适用性。尤其,在高性能及低能耗方面增加电子装置的灵活性的需求推动开发愈加紧凑的装置,其特征尺寸显着小于1微米(μm),从而使当前的半导体技术倾向于生产尺寸在100纳米或更小级的结构。由于集成电路表示在通常为硅的半导体材料上集成的一组电子电路组件,因此与...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。