技术编号：15788799
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种缓解互连结构应力的半导体结构。背景技术在三维IC工艺集成的过程中，硅通孔的制作以及后续的键合、减薄等工艺过程会产生较大的热应力，可能引起界面剥离、衬底碎裂、铜凸出等可靠性问题。热机械可靠性问题通常发生在不同材料之间的交界面处，而介质层(如氧化硅绝缘层)是可靠性最薄弱的区域。氧化硅绝缘层由于生长温度低、工艺重复性好、淀积薄膜均匀、膜的台阶覆盖性好、缺陷密度较低等优点已广泛用于半导体材料、集成电路和MEMS器件制造工艺中，并常被作为铜材料与硅衬底之间的应...
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