技术编号:15810367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构及其制造方法,尤其涉及一种具有浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)结构的存储器结构及其制造方法。背景技术随着半导体元件积集度的提高,半导体元件的尺寸也随着不断地缩小,且半导体元件之间的影响也越来越多。一般而言,半导体元件之间是通过隔离结构来彼此隔离,避免过多的影响,并提升元件的可靠度。在存储器元件中,若隔离结构的高度太低,容易产生程序化时的互相干扰,且可能会对穿隧介电层造成伤害,而使得存储器元件的可靠度降低。若隔离结构的高度太高,会导致栅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。