技术编号：15850364
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体管，其具有多个沟槽(栅电极位于该沟槽中)并且具有用于阻挡高电场的彼此连接的屏蔽区域。背景技术根据目前的现有技术，功率晶体管通过单元场(Zellfeld)中的单个单元的并联连接制成。这些单个单元全部相同，以便确保安全的并联运行。目前，仅在晶体管的边缘区域内、即仅在单元场与边缘结构之间或在单元场与栅极连接端/栅极浇道之间采用部分修改的单元结构。功率晶体管的进行载流的单个单元的数量目前是几千个。在此，经常使用沟槽型MOSFET，其通常具有低导通电阻并且因此具有低导通损耗。在沟槽型MO...
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