技术编号：15888262
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种测试掩模版制造方法。背景技术半导体制造技术平台中，许多工艺的开发与维护，如刻蚀，材料填充及生长或化学机械研磨等，都与图形整体与局部密度情况紧密相关，而最终的图形密度由前置光刻图形密度所主导决定。通常一块测试掩模版，仅有一个最佳曝光条件，对应固定的整体图形密度，以及有限的局部图形密度区域，相应的实验样本条件十分有限，在工艺开发阶段，非常不利于工艺窗口的检测以及潜在问题的发现。在测试掩模版上，图形密度的涵盖范围越广，密度样本条件越多，越能保证工艺开发的安全，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。