技术编号:1592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体陶瓷电容器用的半导体陶瓷的组成,更具体地说,本发明涉及的半导体陶瓷的组成,适用于制造边界绝缘型半导体陶瓷电容器。用作无源电子电路元件的半导体陶瓷电容器一般分成两类型,即边界层型和表面层型。边界层型半导体陶瓷电容器包括一种边界绝缘型电容器,而表面层型半导体陶瓷电容器包括一种阻挡层型电容器和一种还原再氧化型电容器。然而,业已发现普通的半导体电容器具有下列缺点边界绝缘型半导体电容器的电容量和介质强度相对地有所降低。阻挡层型的频率特性变劣,介质损耗(tanδ)有所增加,介质强度有所降低。还原再氧化型电容器的...
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