技术编号:15940135
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术晶体管作为最基本的半导体器件,目前正被广泛应用。随着半导体器件的元件密度和集成度的提高,栅极尺寸也越来越短,传统的晶体管对沟道电流的控制能力变弱,产生短沟道效应,最终影响半导体器件的电学性能。为了进一步缩小器件尺寸、提高器件密度,在半导体器件的基础上,引入了高K金属栅晶体管,即以高K介质材料作为栅介质层,以金属材料作为栅极;而且,为了改善高K介质材料的栅介质层与鳍部之间的结合状态,在所述高K介质材料的栅介质层与鳍部之间还需...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。