技术编号：15940185
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路，更具体地涉及包括非易失性存储器单元的半导体器件及其制造方法。背景技术随着半导体工业在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的过程中进入纳米技术工艺节点，在降低接触电阻和抑制光刻操作的数量的增加方面存在挑战。发明内容本发明的实施例提供了一种用于制造包括非易失性存储器的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成堆叠结构，所述堆叠结构包括至少第一多晶硅层和第二多晶硅层；在所述堆叠结构的相对侧上形成侧壁间隔件；在所述堆叠结构上方形成第三多晶硅层，从而覆盖所述堆叠结构；去...
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