技术编号：15940278
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光催化剂材料技术领域，具体涉及一种氧硫双掺杂的石墨相氮化碳的制备方法。背景技术半导体光催化剂是指在光照下能够促进化学反应而自身不发生变化的物质，其本质是光照激发半导体产生具有强氧化还原活性的电子-空穴对，从而将有机污染物分解成无毒无害的CO2和H2O等物质。石墨相氮化碳(g-C3N4)作为氮化碳的最稳定同素异形体，与其他的半导体材料相比，其具有强热稳定性和高化学稳定性，可吸收可见光，并且毒性小、来源较广、便于制备等优点。然而，g-C3N4依旧具有电子-空穴对易复合、光催化活性较低等缺点...
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