技术编号:15940552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集半导体技术领域,尤其涉及一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法。背景技术在现有技术中,CMOS技术的发展一直遵循着摩尔定律,尺寸不断按比例缩小,集成度不断提高,成本不断下降,集成电路的性能不断提升,但CMOS器件尺寸的不断减小也带来了一系列问题,首当其冲的就是能耗问题。由于电源电压减小的速度远小于器件尺寸缩小的速度,因此能耗密度必然大幅增加,当芯片的能耗密度大于100W/cm2时,这种产品就基本失去了实用价值,所以这种经典的摩尔定律是难以无限持续的,必将会遇到能耗的极限瓶颈。解决能耗问...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。