技术编号:15940829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED外延片领域,特别涉及生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片及其制备方法。背景技术发光二极管(LED)作为一种新型的固态照明光源和绿色光源,具有节能、环保、体积小、用途广泛和使用寿命长等突出特点,在室外照明、商业照明以及军事照明等领域都具有广泛的应用。当前,在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下,节约能源、减少温室气体排放成为全世界面临的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济,是经济发展的重要方向。在照明领域,LED作为一种新型的绿色固态照明产品,是未来发展...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。