技术编号:15967852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及沟槽式功率MOS器件技术领域,具体涉及一种功率MOS半导体器件。背景技术在半导体集成电路中,现有典型的沟槽型功率MOS 器件由下至上包括硅衬底、漏极、体区、源区、栅极沟槽、接触孔、层间电介质和顶层金属,栅极沟槽内依次生长栅氧和多晶硅。目前普通的沟槽型功率MOS 器件,影响栅极电阻的因素主要是沟槽尺寸以及多晶硅参杂浓度。现有的沟槽型功率MOS 器件普遍存在的问题是栅极电阻较高。随着产品应用的发展,对功率MOS器件的开关速度和开关损耗的要求越来越高,其中开关损耗占据总损耗70%左右,普...
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