技术编号:15972507
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高的元件密度,以及更高的集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用,因此随着半导体器件的元件密度和集成度的提高晶体管的特征尺寸也越来越小,为了降低晶体管栅极的寄生电容、提高器件速度,高k栅介质层与金属栅极的栅极结构被引入到晶体管中。然而,在高k栅介质层上形成金属栅极时仍有许多问题亟待解决,其中一个就是功函数的匹配问题,因为功函数将直接影响器件的阈值电压(Vt)和...
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