技术编号：15972528
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种芯片封装模块，具体涉及一种IGBT封装模块及其连接桥。背景技术传统工艺的IGBT封装模块，其基本结构为芯片焊接在散热板上，散热板焊接在底板上，通过散热板的排布区分出IGBT芯片的栅极（Gate）、集电极（Collector）和发射极（Emitter），其中集电极通过锡膏和散热板直接焊接，栅极和发射极均通过铝线或铝带与散热板相连接，这种封装结构工艺有如下缺点和难点。第一，铝线的导热能力有限，芯片产生热量时，并不能及时的通过铝线传递到散热板、底板与散热器上，造成芯片温度过高，继而造成模...
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