技术编号：15973095
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池用光电薄膜制备技术领域，尤其涉及一种用硫酸盐制备铜铁硒光电薄膜的方法。背景技术铜铁硒是一种三元Ⅰ–Ⅲ–Ⅵ2族化合物半导体，具有铁硒铜矿四方晶系晶体结构，铜铁硒块体材料的带隙为0.16 eV，纳米粒子的带隙为0.95 eV，是一种低带隙的p型半导体，在光电学和太阳能转换方面有很好的应用前景。目前铜铁硒薄膜的制备方法有很多，主要有电化学沉积法、溅射法、热蒸发法、热喷涂法等。由于原料在地球上的储量丰富、价格低廉且无毒，因此是一种非常有发展前途的光电薄膜材料，但现有工艺路线复杂、制备...
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