技术编号:16045346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2016年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0125889号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。本发明涉及基于硅的熔融组合物和使用其制造碳化硅单晶的方法。背景技术电力半导体器件是使用电能的下一代系统例如电动车辆、电力系统和高频移动通信中的核心器件。为此,必须选择适合于高电压、高电流、高频率等的材料。尽管硅单晶已被用作电力半导体材料,但由于其物理特性的限制,具有低能量损失并且可在更极端的环境中驱动的碳化硅单晶正引起关注。为了使碳化硅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。