技术编号:16049343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是在2016年2月19日提交的美国专利申请15/048,422的部分继续申请,该美国专利申请的公开内容全文以引用方式并入本文。申请人/发明人在本文明确撤销和撤回在任何母、子或相关审查历史中关于本申请所支持的任何主题作出的任何以前的免责声明或否认。背景技术技术领域本发明整体涉及一种用于在形成于衬底的上表面中的沟槽中制造由含有Si-N键的介电膜构成的层结构的方法。相关技术在大规模集成电路(LSI)的制造工艺中,存在若干用于在沟槽中形成侧壁的工艺。侧壁被用作间隔物或用于阻挡从沟槽的侧表面蚀刻结构...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。