技术编号:16148401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置。背景技术已知在半导体装置中,在电源端子(VDD)与接地端子(VSS)之间设置静电放电(ESD;Electro Static Discharge)的保护电路。能够例如列举具备被连接有接地布线的护环围起的ESD保护电路的半导体装置(例如参照专利文献1、2)。专利文献1:日本特开2012-43845号公报专利文献2:日本特开2014-154595号公报另外,伴随着近年来的半导体装置的微细化,电迁移(EM:Electro Migration)所引起的金属布线的可靠性不良成为问题。E...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。