技术编号:16191430
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳电子技术领域,特别是涉及一种Ge-Se-O双向阈值开关材料、选通器单元及制备方法。背景技术大数据时代的到来使得市场对于存储器产生了巨大的需求。存储器技术正朝着高密度、三维器件结构的方向迈进,随着存储器技术一同革新的还有选通器技术。作为整个存储器中重要的组成单元,新型选通器的发展将对存储器产生重大的影响。传统的晶体管和二极管已经无法集成在三维结构存储器中,因而在技术发展中失去了原有的竞争优势。尤其对于下一代新兴非易失性存储器,如相变存储器和阻变存储器,将它们与开关性能良好的薄膜选通器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。