技术编号:16238685
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体蚀刻和等离子体切割的方法。背景技术半导体制造通常涉及在单个半导体晶片上并行地处理大量的硅芯片。一旦处理步骤完成,晶片必须被切成独立的芯片。然后,对随后被封装的芯片进行连接。常规地,使用金刚石锯实施切割步骤,该金刚石锯沿着晶片上的划线进行切割。最近,人们对提供用于切割晶片的新方法存在很大的兴趣。这些方法提供了增强性能和降低成本的可能性。这样的方法之一是使用激光来实施晶片的切割。替代的方法是使用等离子体蚀刻来切割晶片。该方法具有如下方面的益处:使裸片边缘损伤最小化,通过使用非常狭窄...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。