技术编号：16238733
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电路器件封装技术领域，尤其涉及一种宽禁带功率半导体模块封装结构。背景技术当前，在各种电源电路、电机控制器、充电器等需要应用功率模块的电路结构中，一般均需要用到功率半导体模块。其中，宽禁带功率半导体被称为第三代半导体，其材料包括金刚石、SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)等。宽禁带功率半导体具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景，非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。当前的宽禁带功...
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