技术编号:16241210
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及先进结构陶瓷电路领域,具体涉及一种氮化硅陶瓷制备方法及其陶瓷覆铜板。背景技术氮化硅(Si3N4)陶瓷是典型的高温高强结构陶瓷,具有良好的室温及高温机械性能,强度高、耐磨损、抗热震、抗化学腐蚀,能够广泛应用于航空、机械、化工等领域。但氮化硅(Si3N4)是以共价键为主的化合物,烧结驱动力小,传统固相烧结难以将其烧结致密。针对氮化硅(Si3N4)陶瓷烧结,研究人员开发了添加烧结氧化钇等烧结助剂的常压烧结方法、气压烧结方法和反应烧结等烧结方法。目前反应烧结氮化硅(Si3N4)陶瓷是将硅粉与P...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。