技术编号：16261465
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种非对称范德华异质结器件及其制备和应用。背景技术由于新颖的性能和与硅基技术高度的兼容性，二维层状材料在场效应晶体管、存储器和光电探测器等领域展示出巨大的应用前景。更重要的是，这些超薄的二维材料可以通过范德华力自由组装，形成超薄的范德华异质结。通过选择具有不同性质的二维材料和特定的组装方式，各自独特的功能可以有机的结合在一起。从这一研究角度出发，范德华异质结为我们提供了一个全新的平台去研究新型电子和光电子器件性质。目前，对高性能范德华异质结的研究主要局限于单...
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