技术编号:16370960
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板。背景技术低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)是平板显示器领域中继非晶硅(Amorphous-Silicon,a-Si)之后的下一代技术。与传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT-LCD)相比,低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器具有解析度更高、反应速度快、亮度高等优点,因此,低温多晶硅技术的发展受到了广泛的重视。现有低温多晶硅TFT阵列基板的制备工艺中,需要进行漏...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。