技术编号：16438210
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种用于在纳米图形Si衬底上获得高质量厚膜AlN的衬底制备工艺及其外延方法。背景技术作为第三代半导体的III族氮化物，包括AlN、GaN和InN及其三元和四元合金，因其优异的光学性能和电学性能，特别是其三元合金的禁带宽度从AlN的6.1eV到InN的0.64eV连续可调，相应的带边发光波长覆盖范围由深紫外的200nm到红外的1.8μm，这些特性使得其在发光二极管(LED)、激光器(LD)和探测器(PD)等方面具有广泛的应用。在以蓝宝石、碳化硅和硅为衬底材料的氮...
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