技术编号：16568486
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于功率半导体器件领域，具体涉及一种高EAS的VDMOS器件。背景技术平面VDMOS的产品结构包含终端和元胞两部分，其中终端是指2、3所示的芯片边缘层域(A层域)，元胞指2、4、5、7所示的芯片中间层域(B层域)。现有的设计结构中，一般器件击穿发生在A层域或B层域。若在A层域发生击穿，由于A层域在芯片上只是围绕周围一圈，导致产品的雪崩能量(EAS)很低。若在B层域发生击穿，B层域由于元胞比较多，一般都有上万个元胞，所以雪崩能量(EAS)会好一些。但是B层域的5、4、2会形成一个寄生的N...
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