技术编号：16588178
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种垂直硅纳米线晶体管的制造工艺方法。背景技术为了提高集成电路的集成度以及芯片的性能，随着集成电路MOS器件工艺的发展，器件关键尺寸越来越小。对于传统的单栅平面工艺，器件的栅长不能无限制的缩小，随着器件尺寸缩小出现一系列的二级效应统称短沟道效应。在长沟道器件情况下传统的电学特性在短沟道情况下往往变得很差。为了克服短沟道效应对小尺寸MOS器件性能及可靠性的影响，一些新型的器件结构出现了，比如硅纳米线晶体管，其栅极包围导电沟道的面积远大于传统平面工艺MOS...
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