技术编号：16596219
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高速存储器存取及减少的电力消耗为半导体装置所需求的特征。近年来，采用多核心处理器及同时执行多个应用程序的计算机系统已导致对用作主要存储器的存储器装置(例如，动态随机存取存储器(DRAM))的存取型式的空间局部性较低以及较随机的存取型式。DRAM的典型存取型式按顺序重复存储库激活、读取存取或写入存取及存储库预充电。当使用上文所提及的存取型式通过存储库交错而连续存取不同存储库时，对不同存储库的同时存储库激活可致使峰值电力消耗超过可接受阈值。为了避免此过多电力消耗，可限制将被同时存取的存储库数目(例如...
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