技术编号:16606582
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器技术领域,特别涉及一种用于EEPROM存储器的基准电流生成电路及生成方法。背景技术目前EEPROM读取电路的数据检测机制一般基于电流检测的方法,其核心思想是将EE_CELL的导通电流Icell与基准电流Iref进行比较从而得到存储单元的类型,即:Icell>Iref,0_cell (1.1)Icell<Iref,1_cell (1.2)图1、图2是两种基于电流检测机制的传统读电路,这两个电路大致思路是比较电流由一个基准电路产生,而高性能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。