技术编号:16639089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体集成电路,更具体地,涉及包括非易失性存储器单元和外围器件的半导体器件及其制造工艺。背景技术随着半导体产业已经进入纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本,在光刻操作方面在控制下面的层的平坦度上存在挑战。特别是,化学机械抛光操作在平坦化下面的层中起到了重要的作用。发明内容根据本发明的一些实施例,提供了一种半导体器件,包括:非易失性存储器单元,形成在衬底的存储器单元区中;第一电路,形成在所述衬底的第一电路区中;以及第二电路,形成在所述衬底的第二电路区中,其中...
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