技术编号:16639425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能制造技术领域,涉及一种高效晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法。具体涉及了一种针对P型晶硅电池通过正表面磷扩散形成n+/p结构,其正面和背面的表界面钝化方法背景技术晶体硅太阳电池由于表界面缺陷以及表面悬挂键等导致光生载流子在表界面复合严重,从而导致太阳电池效率降低。太阳电池的有效少数载流子寿命τeff由硅片体寿命τbulk、上表面有效寿命τtsurfαce和背表面有效寿命τbsurfαce共同决定,其关系式为:1/τeff=1/τbulk+1/τtsurfαce+1/τbsur...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。