技术编号:16688924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发明构思的示例实施方式涉及一种半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。例如,至少一些示例实施方式涉及包括贯穿电极的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。背景技术用于形成垂直穿过基板或管芯的电连接的TSV(贯穿硅通路)技术已经用于发展三维(3D)封装,其中多个半导体芯片安装在一个半导体封装中。为了提高3D封装的性能和可靠性,器件制造技术可以用于形成能够提供稳定的操作特性和高可靠性的TSV结构。发明内容发明构思的一些示例实施方式提供一种具有增强的可靠性的半导体器件。发明构思的示例实施方式不限于上述...
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