技术编号:16751188
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体结构,更具体地,涉及低电容静电放电(ESD)器件及其制造方法。背景技术高频电路应用(例如,ASIC高速串行(HSS)链路、无线通信中的功率放大器等)需要低电容静电放电(ESD)保护。例如,CMOS技术中的功率放大器容易受到ESD事件的影响,这可以损坏集成电路(IC),因此需要ESD保护。在正常操作期间,使用例如ESD二极管、ESD NFET等的常规ESD器件倾向具有在ESD关闭时影响电路的高寄生电容。可控硅整流器(SCR)结构是所期望的替代ESD结构,因为与例如ESD二极管和ES...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。