技术编号:16777057
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造方法,特别是涉及一种ONO膜层的制造方法。背景技术ONO膜层是由氧化层、氮化层和氧化层三层叠加而成的膜层,通常应用于SONOS器件的栅极结构的栅介质层,SONOS是硅-氧化层-氮化层-氧化层-硅的缩小。ONO膜层中的氮化层和顶层氧化层通常都是采用炉管低压化学气相沉积(LPCVD)工艺形成层,底层氧化层则通常是通过热氧化工艺形成。ONO膜层通常形成于由半导体衬底组成的晶圆上,炉管通常包括管壁和由管壁围绕形成的工艺腔体,在炉管中通常能放置多片晶圆实现在多片晶圆的表面上...
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