技术编号:16809088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括环绕触点的半导体器件,更具体地,涉及一种可以提供改善的接触电阻的环绕触点。背景技术鳍式场效应晶体管(finFET)已成为半导体集成电路(IC)的共同特征。在finFET中,沟道由半导体垂直鳍形成,栅极电极位于并缠绕该鳍。在finFET中,与其它形式的晶体管一样,在晶体管的源极、漏极和栅极上形成的触点(contacts)用于将晶体管连接到半导体IC的其它部件。为确保IC可靠并具有所需的性能特性,降低触点的接触电阻很重要。在相关技术的finFET器件中,在鳍上形成菱形外延层,并且在...
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