技术编号:16810201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2016年5月4日提交的美国临时专利申请号为62/391554、名称为“具有集成栅极驱动器的GaN功率器件”的美国临时专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域本公开一般涉及功率半导体器件,所述功率半导体器件包括与功率器件集成的栅极驱动器。背景技术通常已知基于氮化镓(GaN)的半导体器件具有高击穿电压、高开关速度和低导通电阻特性。例如,基于GaN的横向异质结(例如,AlGaN/GAN)器件已经显示出作为高性能功率转换系统中的核心功率开关器件的前景。虽然分立式GaN功率器件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。