技术编号：16812080
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用于化学机械研磨中的研磨液及化学机械研磨方法。背景技术在半导体设备的开发中，为了小型化及高速化，近年来要求基于配线的微细化和层叠化的高密度化及高集成化。作为用于实现该要求的技术，利用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，以下，记为“CMP”。)等各种技术。该CMP是在进行层间绝缘膜等被加工膜的表面平坦化、栓塞形成或金属埋线的形成等的情况下必需的技术，在被研磨体的平滑化、配线形成时去除多余的金属薄膜或去除绝缘膜上的多余的阻挡层。CMP的通常的方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。