技术编号:16816872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料的制备方法,特别涉及一种以缺陷石墨烯为衬底直接生长半导体材料的制备方法,属于半导体制备工艺技术领域。背景技术2004年,英国科学家发现了由碳原子以sp2杂化连接的单原子层构成的新型二维原子晶体-石墨烯,其基本结构单元为有机材料中最稳定的苯六元环,是目前最理想的二维纳米材料。单层石墨烯是指只有一个碳原子层厚度的石墨,C-C间依靠共价键相连接而形成蜂窝状结构。在石墨烯中,每个碳原子通过很强的σ键(自然界中最强的化学键)与其他3个碳原子相连接,这些很强的C-C键致使石墨烯片层具...
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