技术编号：16829076
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及冷却装置的技术领域，尤其涉及一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的技术领域。背景技术随着集成电路技术的不断进步，追求高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片成为超大规模集成电路制造的趋势。集成电路技术进入超大规模集成电路时代，集成电路的工艺尺寸向着28nm以及更小尺寸的结构发展，同时也对晶圆制造工艺提出了更高更细致的技术要求，特别是刻蚀过程中产生的刻蚀缺陷。在大规模晶圆制造工艺过程中，在同一台刻蚀设备上安装多个独立作业的刻蚀腔体，每个刻蚀腔体的作业条件也不尽相同，而多个独立...
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