一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的制作方法

本实用新型涉及冷却装置的技术领域，尤其涉及一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的技术领域。

背景技术：

随着集成电路技术的不断进步，追求高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片成为超大规模集成电路制造的趋势。集成电路技术进入超大规模集成电路时代，集成电路的工艺尺寸向着28nm以及更小尺寸的结构发展，同时也对晶圆制造工艺提出了更高更细致的技术要求，特别是刻蚀过程中产生的刻蚀缺陷。

在大规模晶圆制造工艺过程中，在同一台刻蚀设备上安装多个独立作业的刻蚀腔体，每个刻蚀腔体的作业条件也不尽相同，而多个独立的刻蚀腔体共用相同的传送路径和冷却装置，这在多层刻蚀工艺制成中就会出现不同刻蚀工艺晶圆间在共同路径上出现交叉污染，特别是在晶圆冷却装置内部由于停留时间较长，交叉污染就更加显著了。目前的工艺技术改进都是着眼于晶圆刻蚀过程前和过程中产生的刻蚀缺陷问题，对于晶圆刻蚀完成之后的关注较少，特别是不同刻蚀工艺之间晶圆刻蚀完成之后的交叉污染问题。而在刻蚀完成后一般都会出现黏附的颗粒和凝聚态缺陷，缺陷交叉污染过程如图1 和图2所示.。刻蚀完成后的湿法步骤一般都会将上述缺陷清洗掉，但是不同制程间的湿法窗口大小不一，导致不同刻蚀制程间交叉污染产生的缺陷无法完全清除。同时，图3示了现有技术的一种冷却装置，冷却装置的腔体内设若干晶圆。图5则显示了当晶圆经过现有技术的冷却装置冷却后的颗粒检测的示意图，图中的小黑点为颗粒的显示。

技术实现要素：

针对上述不足，本实用新型的目的是提供一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，通过在冷却装置内部增加隔离单元来消除不同刻蚀制程工艺晶圆在冷却过程中产生的交叉污染问题，从而减少刻蚀缺陷，提高产品良率。

为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，包括：

腔体；

若干隔离单元，若干所述隔离单元将所述腔体分隔为若干单元。

上述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，每一所述单元内设置一晶圆，若干所述晶圆采用不同刻蚀制程工艺。

上述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，每一所述隔离单元的外侧面贴合所述腔体的内侧面。

上述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，每两相邻的所述单元之间设一所述隔离单元。

上述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，刻蚀制程工艺可采用不同刻蚀层次相同介质。

上述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，刻蚀制程工艺可采用同层次的不同刻蚀介质。

上述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，所述晶圆的刻蚀制程为90nm、65/55nm、32/28nm或低于等于22nm以下。

上述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，所述晶圆采用干法刻蚀。

用以上技术方案，能够达到如下有益效果：

1、本实用新型能防止不同制程晶圆带来的颗粒和刻蚀副产物挥发结晶而造成后续的刻蚀缺陷问题。

附图说明

图1是现有的冷却装置内不同晶圆的颗粒与凝聚态缺陷交叉污染过程的由下至上的示意图；

图2是现有的冷却装置内不同晶圆的颗粒与凝聚态缺陷交叉污染过程的由上至下的示意图；

图3是现有的冷却装置的示意图；

图4是本实用新型的一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的示意图；

图5是经过现有的冷却装置冷却后的晶圆的颗粒检测示意图；

图6是经过本实用新型的一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的晶圆的颗粒检测示意图。

附图中：

现有技术：

22’、晶圆。

本实用新型：

1、腔体；2、隔离单元；21、单元；22、晶圆。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

图1是现有的冷却装置内不同晶圆的颗粒与凝聚态缺陷交叉污染过程的由下至上的示意图；图2是现有的冷却装置内不同晶圆的颗粒与凝聚态缺陷交叉污染过程的由上至下的示意图；图3是现有的冷却装置的示意图；图4 是本实用新型的一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的示意图；图5是经过现有的冷却装置冷却后的晶圆的颗粒检测示意图；图6是经过本实用新型的一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的晶圆的颗粒检测示意图。请参见图3所示，在一种较佳的实施例中，一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其中，包括：

腔体1。

若干隔离单元2，若干隔离单元2设置于腔体1内，若干隔离单元2将腔体1分隔为若干单元21。

以上仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围。

进一步，在一种较佳实施例中，每一隔离单元2的外侧面贴合腔体1的内侧面。

进一步，在一种较佳实施例中，每两相邻的单元21之间设一隔离单元2。

进一步，在一种较佳实施例中，每一单元21内设置一晶圆22，若干晶圆22采用不同刻蚀制程工艺。

进一步，在一种较佳实施例中，刻蚀制程工艺可采用不同刻蚀层次相同介质。

进一步，在一种较佳实施例中，刻蚀制程工艺可采用同层次的不同刻蚀介质。

进一步，在一种较佳实施例中，晶圆22的刻蚀制程为90nm、65/55nm、 32/28nm或低于等于22nm以下。

进一步，在一种较佳实施例中，晶圆22采用干法刻蚀后进入腔体1内。

进一步，在一种较佳实施例中，本实用新型作为一刻蚀设备的冷却装置进行使用。该刻蚀设备提供多个用于不同刻蚀工艺的等离子体反应腔体，不同刻蚀工艺的等离子体反应腔体采用同一的传送装置；并且刻蚀设备进行不同刻蚀工艺后，进入本实用新型进行冷却处理。

进一步，在一种较佳实施例中，本实用新型的一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置相比现有的冷却装置，消除了不同制程工艺晶圆22 之间的相互影响，使得冷却后的晶圆22的表面缺陷(颗粒)明显改善。参见图5示，现有的冷却装置冷却后的晶圆22的颗粒显示为若干小黑点；再参见图6示，经本实用新型的冷却装置冷却后晶圆22的表面颗粒明显减少，图中小黑点无法发现；因此经过本实用新型的冷却装置冷却后的晶圆22的表面的颗粒可以完全去除。因此，本实用新型可以预防和避免因不同制程晶圆22 在冷却装置内造成的交叉污染问题而产生产品良率下降的风险。

以上仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。