1.一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，包括：
腔体；
若干隔离单元，若干所述隔离单元将所述腔体分隔为若干单元。
2.根据权利要求1所述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，每一所述单元内设置一晶圆，若干所述晶圆采用不同刻蚀制程工艺。
3.根据权利要求1所述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，每一所述隔离单元的外侧面贴合所述腔体的内侧面。
4.根据权利要求1所述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，每两相邻的所述单元之间设一所述隔离单元。
5.根据权利要求1所述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，刻蚀制程工艺可采用不同刻蚀层次相同介质。
6.根据权利要求1所述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，刻蚀制程工艺可采用同层次的不同刻蚀介质。
7.根据权利要求2所述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，所述晶圆的刻蚀制程为90nm、65/55nm、32/28nm或低于等于22nm以下。
8.根据权利要求2所述一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，其特征在于，所述晶圆采用干法刻蚀。