厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法。
【背景技术】
[0002]在现有的厚铝刻蚀工艺中，由于刻蚀时间长，使用的光刻胶厚，导致金属侧壁上残留的聚合物很厚，如图1所示。目前通常是用刻蚀的方法来去除金属侧壁的聚合物。但是，即使是使用多次湿法刻蚀和干法刻蚀，都不能有效地把聚合物去除干净。
[0003]Cl2是金属铝刻蚀工艺中常用的刻蚀气体。在金属铝刻蚀后，Cl 2很容易隐藏在金属侧壁的聚合物里，而Cl2会和Al反应生成AlCl 3，继而与空气中的水分发生自循环反应，重新释放出Cl2，造成对铝的严重腐蚀。
[0004]铝腐蚀的化学反应原理如下:
[0005]A1+C12—>A1C13
[0006]A1C13+H20---〉A1 (OH) 3+Cl2
【发明内容】
[0007]本发明要解决的技术问题是提供一种厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法，它可以防止由聚合物导致的金属铝腐蚀。
[0008]为解决上述技术问题，本发明的厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法，用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺，该方法是在金属铝刻蚀后，先向去胶腔中通入0匕气体和水蒸汽的混合气体，在去除光刻胶的同时，去除金属侧壁的大部分聚合物，然后再进行一次湿法清洗，将金属侧壁残留的聚合物完全去除。
[0009]去胶时，去胶腔中的温度为250 0C ±50 °C，气压为2T±0.5Τ，功率设定为1400W±200W，通入去胶腔的混合气体中，H2O气的流量为500±100sccm，CF4气体的流量为60±20sccm。
[0010]本发明通过在金属去胶过程中增加CF4气体，后续再辅以单次湿法刻蚀和干法刻蚀，完全去除了金属侧壁的聚合物，从而增加了金属销的corros1n window(腐蚀窗口)，避免了金属铝与侧壁聚合物中的Cl2反应被腐蚀。
【附图说明】
[0011]图1是现有厚铝刻蚀工艺中，金属侧壁上残留有很厚的聚合物。其中，a图是细导线的侧壁山图是粗导线的侧壁。
[0012]图2是在后铝刻蚀工艺中使用本发明实施例的方法去除金属侧壁聚合物后，金属侧壁上不再有聚合物残留。其中，a图是细导线的侧壁；b图是粗导线的侧壁。
【具体实施方式】
[0013]为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下:
[0014]本实施例的厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法，主要用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺。该方法在金属去胶过程中，首先向金属去胶腔中通入含0?4气体的水蒸汽，将金属侧壁的大部分聚合物去除，然后再通过后续单次湿法清洗将金属侧壁残留的聚合物完全去除。
[0015]其中，CF4气体处理的条件如下:温度250 °C ±50°C，气压2T±0.5T，功率1400W±200W，气体为 H20(500±100sccm)和 CF4 (60±20sccm)的混合气体。
[0016]用CF4气体处理后，金属侧壁的聚合物基本上都被去除干净了，如图2所示。这样就增加了金属铝的腐蚀窗口，避免了金属铝与侧壁聚合物中的(:12反应而被腐蚀。
【主权项】
1.厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法，用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺，其特征在于，在金属铝刻蚀后，先向去胶腔中通入CF4气体和水蒸汽的混合气体，在去除光刻胶的同时，去除金属侧壁的大部分聚合物，然后再进行一次湿法清洗，将金属侧壁残留的聚合物完全去除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去胶腔中的温度为250°C±50°C。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去胶腔中的气压为2T±0.5Τ。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去胶腔设定的功率为1400W±200W。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合气体中，水蒸汽的流量为500±100sccm，CF4 气体的流量为 60±20sccm。
【专利摘要】本发明公开了一种厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法，用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺，该方法在金属铝刻蚀后，先向去胶腔中通入CF4气体和水蒸汽的混合气体，在去除光刻胶的同时，去除金属侧壁的大部分聚合物，然后后续再进行一次湿法清洗，将金属侧壁残留的聚合物完全去除。本发明通过在金属去胶过程中增加CF4气体，后续再辅以单次湿法刻蚀和干法刻蚀，完全去除了金属侧壁的聚合物，从而增加了金属铝的腐蚀窗口，避免了金属铝与侧壁聚合物中的Cl2反应被腐蚀。
【IPC分类】H01L21-311
【公开号】CN104599962
【申请号】CN201410849019
【发明人】徐鹏
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月29日