一种减少推结时间的工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于半导体工艺，且特别是有关于一种在现有的设备基础上，为配合新产品的开发，通过在特定部位做硅刻蚀达到减少推结路程、减少推结时间的工艺。
【背景技术】
[0002]在半导体制造流程中，经常要使用到推结的过程，以达到将扩散所形成的PN结推到所需要的位置，满足制作指定电性能分立器件的要求。在整个半导体制造流程中，推结占用了大量的时间。如何有效的减少推结所需要的时间成了目前半导体工艺中减少成本及制作周期的重要项目。
[0003]目前使用的推结方式是将硅片放置在高温的炉管中并持续通入特定的气体，在高温的作用下将PN结推入到指定的位置。但是随着时间的推移，推结的速度会越来越慢，这样就造成推结所需的工艺时间相当长。例如，假设推结的深度是X，所需工艺时间是T，则在前l/2x距离所需要的时间通常只需要1/3T左右，甚至更少；而后面的l/2x的距离的推结则需要2/3T的时间，甚至更长。
[0004]针对上述现有半导体工艺中推结时间过长的缺陷，本申请人遂以其多年从事本行业的制造经验和技术累积，积极地研宄如何从工艺上作改良，以期能改善先前技术之缺失，终于在各方条件的审慎考虑下开发出本发明。
【发明内容】
[0005]本发明之主要目的在于提供一种减少推结时间的工艺，通过在特定部位做硅刻蚀，使现有的推结工艺所需要的工艺时间减少。
[0006]为达上述的目的及功效，本发明采用以下技术内容:
[0007]一种减少推结时间的工艺，包括下列步骤:首先，提供一硅片；接着，通过光刻工艺，在所述硅片上漏出需要做PN结及推结的区域；然后，通过硅刻蚀工艺，刻蚀掉上述区域表面的一层硅；然后，通过扩散工艺，在上述区域形成PN结；最后，通过推结工艺，将所述PN结推至所需要的位置。
[0008]本发明至少具有以下有益效果:
[0009]本发明揭示了减少推结时间的工艺方法。使用光刻工艺，将晶片上需要做PN结及推结工艺的地方漏出来，晶片其他地方使用光刻胶保护起来。在漏出来的地方做硅刻蚀，刻蚀掉表面的一层硅。之后在刻蚀掉的地方做扩散和推结，将PN结推至所需要的地方。本发明在现有设备机台的情况下，能大幅减少目前工艺中推结所需要的时间。
[0010]本发明的其他目的和优点可以从本发明所揭露的技术内容得到进一步的了解。为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
[0011]图1为目前现有的扩散推结工艺流程。
[0012]图2为本发明使用的工艺流程。
【具体实施方式】
[0013]本发明揭示之内容涉及一种减少推结时间的工艺，其主要技术特点在于，在正常做扩散推结工艺之前做一次硅刻蚀，减少推结的路程，从而减少推结时间。
[0014]接下来将透过实施例并配合所附图式，说明本发明与先前技术相比具有创新、进步或功效等独特技术部分，使本领域普通技术人员能据以实现。须说明的是，本领域普通技术人员在不悖离本发明的精神下所进行的修饰与变更，均不脱离本发明的保护范畴。
[0015]请参阅图1，目前的工艺流程，其主要包括下列步骤:
[0016]首先，执行步骤SlOO:提供一硅片(此步骤图1中为示出)；
[0017]接着，执行步骤SlOl:通过光刻工艺，在硅片上漏出需要做PN结及推结的区域(此步骤图1中为示出)；
[0018]然后，执行步骤S102:通过扩散工艺，在上述区域形成PN结；
[0019]最后，执行步骤S103:通过推结工艺，将PN结推至所需要的位置。推结工艺时间为Yl，推结距离为XI。
[0020]请参阅图2，本发明的工艺流程，其主要包括下列步骤:
[0021]首先，执行步骤S200:提供一硅片(此步骤图2中为示出)；
[0022]接着，执行步骤S201:通过光刻工艺，在硅片上漏出需要做PN结及推结的区域(此步骤图2中为示出)；
[0023]然后，执行步骤S202:通过硅刻蚀工艺，刻蚀掉上述区域表面的一层硅；此步骤中，刻蚀深度为X2 ；
[0024]然后，执行步骤S203:通过扩散工艺，在上述区域形成PN结；
[0025]最后，执行步骤S204:通过推结工艺，将PN结推至所需要的位置。此步骤中，推结工艺时间为Y2，推结距离为X3。
[0026]本发明工艺的实施中，在步骤S202中，必须确保进行硅刻蚀的区域即后续PN结生成的区域；在步骤S202和步骤S204中，必须确保Xl = X2+X3，即确保PN结被推到采用原工艺所推到的同样的位置。
[0027]对比图1的现有工艺和图2的本发明工艺:由于本发明的推结距离X3〈现有工艺的结距离XI，因此本发明的推结时间Y2〈现有工艺的推结时间Yl。
[0028]以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以限定本发明的专利保护范围。任何熟习相像技艺者，在不脱离本发明的精神与范围内，所作的更动及润饰的等效替换，仍落入本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种减少推结时间的工艺，其特征在于，包括下列步骤:提供一娃片；通过光刻工艺，在所述硅片上漏出需要做PN结及推结的区域；通过硅刻蚀工艺，刻蚀掉上述区域表面的一层硅；通过扩散工艺，在上述区域形成PN结；通过推结工艺，将所述PN结推至所需要的位置。
【专利摘要】本发明提供一种减少推结时间的工艺，解决现有半导体工艺中推结时间过长的问题。本发明使用光刻工艺，将晶片上需要做PN结及推结工艺的地方漏出来，晶片其他地方使用光刻胶保护起来；在漏出来的地方做硅刻蚀，刻蚀掉表面的一层硅；之后在刻蚀掉的地方做扩散和推结，将PN结推至所需要的地方。本发明在现有的设备基础上，能够大幅减少目前工艺中推结所需要的时间。
【IPC分类】H01L21-04
【公开号】CN104599955
【申请号】CN201510008085
【发明人】吴宗杰, 夏杰宇
【申请人】力特半导体（无锡）有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月7日