一种刻蚀吸废模具及其制造工艺的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及一种刻蚀吸废模具及其制造工艺。
【背景技术】
[0002]刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展;广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
[0003]理想的刻蚀工艺必须具有以下特点:①各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形;②良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料;③加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。湿法刻蚀这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如，用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的工艺称为“湿法”工艺，其优点是操作简便、对设备要求低、易于实现大批量生产，并且刻蚀的选择性也好。但是，化学反应的各向异性较差，横向钻蚀使所得的刻蚀剖面呈圆弧形。这不仅使图形剖面发生变化，而且当稍有过刻蚀时剖面会产生如图中的虚线，致使薄膜上图形的线宽比原抗蚀剂膜上形成的线宽小2垌X，并且垌X随过刻蚀时间迅速增大。这使精确控制图形变得困难。湿法刻蚀的另一问题，是抗蚀剂在溶液中，特别在较高温度的溶液中易受破坏而使掩蔽失效，因而对于那些只能在这种条件下刻蚀的薄膜必须采用更为复杂的掩蔽方案。
[0004]而在刻蚀过程中产生的废料的处理，已成为各个生产厂家关注的目标，刻蚀过程中产生的废料若不能及时得到清除，将会对后续的处理过程产生影响，甚至会影响最终处理效果，而现有技术中，大多专注刻蚀废液的处理，而对刻蚀过程中产生的废料的处理并未有太多关注。
[0005]如专利公开号:CN104986771A，公开了一种多晶硅制绒刻蚀废液的处理方法，它包括以下步骤:(a)在搅拌条件下，向废液中加入碱金属化合物反应至不再产生沉淀，过滤得第一沉淀和第一滤液;(b)在搅拌条件下，向所述第一滤液中加入碱土金属化合物反应至不再产生沉淀，过滤得第二沉淀和第二滤液；(C)对所述第二滤液进行浓缩结晶得硝酸盐固体。本发明多晶硅制绒刻蚀废液的处理方法，通过向废液中加入碱金属化合物反应至不再产生沉淀，过滤后向滤液中加入碱土金属化合物再过滤，最后浓缩，这样能够将废液中的氟硅酸根离子、氟离子除去，并得到氟硅酸盐、氟化盐及硝酸盐固体，既能够保护环境，又能够产生新的经济效益。
【发明内容】
[0006]为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种刻蚀吸废模具及其制造工艺，所述模具结构简单，使用方便，可有效吸收刻蚀过程中产生的废料，提升使用效率，且制造工艺简单，制造效率高。
[0007]为达到上述目的，本发明的技术方案是:
一种刻蚀吸废模具，包括:一第一离型纸层，形状为方形;若干第一双面胶层，形状为条形，沿第一离型纸层宽度方向放置，并沿第一离型纸层长度方向等距平行设置于所述第一离型纸层离型面上，其表面沿长度方向间隔设有一第一条形孔及第一方孔;若干复合胶层，分别层叠设置于所述第一双面胶层上表面，由第二离型纸层及设置于所述第二离型纸层离型面的第二双面胶层层叠形成，包括连接部及设置于所述连接部宽度方向一端的凸起部，所述连接部形状与第一双面胶层形状相对应，其表面沿长度方向间隔开设有第二条形孔及第二方孔，所述第二条形孔与凸起部位于第二方孔两侧;所述复合胶层通过第二双面胶层设置于所述第一双面胶层上表面;所述第一离型纸层表面开设有若干通孔组，每通孔组中的通孔分别设置于各复合胶层连接部宽度方向相对凸起部的另一侧及连接部长度方向一侧。
[0008]进一步，所述第一离型纸层为格拉辛纸层。
[0009]另，所述第一离型纸层离型力为3~5gf/in。
[0010]另有，所述第一双面胶层和第二双面胶层分别为3M⑶B610背胶层。
[0011 ] 再，所述第一离型纸层每组通孔组中通孔数量为3个，第一?第三通孔，第一通孔设置于复合胶层连接部宽度方向相对凸起部的另一侧，第二、第三通孔设置于复合胶层连接部长度方向一侧。
[0012]再有，所述第一离型纸层上每组通孔组中的第二、第三通孔均位于各复合胶层连接部同侧。
[0013]且，所述第一双面胶层的数量为4个，对应地，所述复合胶层的数量为4个。
[0014]同时，本发明还提供一种刻蚀吸废模具的制造工艺，包括如下步骤:
1)清理操作台，保证操作台上无废料、灰尘、油污；
2)取垫板，放置于操作台上，垫板表面开设有固定孔，取由下至上层叠设置的第三离型纸层、第三双面胶层及由双面胶和离型纸层叠复合形成的复合离型膜层，放置于垫板上；
3)取第一蚀刻刀，表面设置与所述第一双面胶层第一条形孔及第一方孔相配合的第一切割孔，第一蚀刻刀在所述垫板上对第三双面胶层及复合离型膜层进行模切，模切至第三离型纸层上表面，在第三双面胶层上形成第一条形孔及第一方孔，并对应地在复合离型膜层上形成第二条形孔及第二方孔，清除废料；
4)取下第一蚀刻刀，取第二蚀刻刀，表面设有与所述复合胶层形状相配合的第二切割孔，第二蚀刻刀在所述垫板上对步骤3)处理后的第三双面胶层及复合离型膜层进行模切，模切至第三离型纸层上表面，形成复合胶层的连接部及凸起部，得所述第一双面胶层及复合胶层，清除废料；
5)取下第二蚀刻刀，将一排废低粘膜层复合至步骤4)所得复合胶层中的第二离型纸层非离型面上；
6)取第三蚀刻刀，表面设有与所述第一离型纸层表面通孔组通孔相对应的若干第三切割孔，第三蚀刻刀在所述垫板上对步骤5)处理后的第三离型纸层、第一双面胶层、复合胶层及排废低粘膜层进行模切，在第三离型纸层表面形成所述通孔组各通孔，得所述第一离型纸层；
7)撕去所述排废低粘膜层，清楚废料，切片，完成所述刻蚀吸废模具的制造。
[0015]再有，所述垫板表面固定孔数量为3个，呈等腰三角形排布，对应地，所述第一蚀刻刀上设有3个第一定位孔、所述第二蚀刻刀上设有3个第二定位孔、所述第三蚀刻刀上设有3个第三定位孔，步骤2)所述第三离型纸层、第三双面胶层及复合离型膜层放置于所述3个固定孔之间。
[0016]另，所述排废低粘膜层为PE低粘膜层，所述垫板为PVC板。
[0017]本发明的有益效果在于:
所述刻蚀吸废模具，有多层结构层叠形成，其中，第一双面胶层和复合胶层复合后多个分布于第一离型纸层离型面，提高吸废效率，加工过程中，由于定位孔较多，采用三套蚀刻刀模进行套切加工工艺，加工定位精确，成型率高，加工方便。
【附图说明】
[0018]图1为本发明实施例所提供的一种刻蚀吸废模具的结构示意图。
[0019]图2为图1的分解图。
[0020]图3为本发明实施例所提供的一种刻蚀吸废模具中复合胶层的剖视图。
[0021]图4为本发明实施例所提供的一种刻蚀吸废模具制造工艺中第三离型纸层、第三双面胶层及复合离型膜层的结构示意图。
[0022]图5为本发明实施例所提供的一种刻蚀吸废模具制造工艺中所用第一蚀刻刀的结构示意图。
[0023]图6为本发明实施例所提供的一种刻蚀吸废模具制造工艺中所用第二蚀刻刀的结构示意图。
[0024]图7为本发明实施例所提供的一种刻蚀吸废模具制造工艺中所用第三蚀刻刀的结构示意图。
[0025]图8为本发明实施例所提供的一种刻蚀吸废模具制造工艺中所用垫板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]参照图1?图8，本发明所述的一种刻蚀吸废模具，包括:一第一离型纸层I，形状为方形;若干第一双面胶层2，形状为条形，沿第一离型纸层I宽度方向放置，并沿第一离型纸层I长度方向等距平行设置于所述第一离型纸层I离型面上，其表面沿长度方向间隔设有一第一条形孔21及第一方孔22;若干复合胶层3，分别层叠设置于所述第一双面胶层2上表面，由第二离型纸层31及设置于所述第二离型纸层31离型面的第二双面胶层32层叠形成，包括连接部33及设置于所述连接部33宽度方向一端的凸起部34，所述连接部33形状与第一双面胶层2形状相对应，其表面沿长度方向间隔开设有第二条形孔331及第二方孔332，所述第二条形孔331与凸起部34位于第二方孔332两侧;所述复合胶层3通过第二双面胶层32设置于所述第一双面胶层2上表面;所述第一离型纸层I表面开设有若干通孔组，每通孔组中的通孔11分别设置于各复合胶层3连接部33宽度方向相对凸起部34的另一侧及连接部33长度方向