一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置的制作方法

技术总结
本实用新型公开了一种解决不同刻蚀制程工艺交叉污染的冷却装置，包括：腔体；若干隔离单元将腔体分隔为若干单元。若干隔离单元，若干隔离单元将腔体分隔为若干单元。本实用新型能防止不同制程晶圆带来的颗粒和刻蚀副产物挥发结晶而造成后续的刻蚀缺陷问题。

技术研发人员：胡旭峰;聂钰节
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.04.19
技术公布日：2019.02.05