技术编号：16854063
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种用于减低极紫外光掩模缺陷的方法。背景技术极紫外光(“extreme ultraviolet，EUV”)光刻是应用极紫外光波长(13.5纳米(nm))的下一代光刻技术。EUV光刻面临与浸没光刻(immersion lithography)所遭遇到的缺陷问题类似的特定缺陷问题。然而，浸没所特有的缺陷归因于水与光致抗蚀剂(photoresist)之间的未优化接触，与EUV相关的缺陷则归咎于EUV辐射的内在离子化能量。一个问题是正充电(positive charging)，此归因于由...
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